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IRLR3636PBF Spécifications techniques

IRLR3636PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 143W Tc
Power Dissipation 143W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Rise Time 216ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 43 ns
Threshold Voltage 2.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 6.8MOhm
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 45 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3779pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 96 ns
Continuous Drain Current (ID) 99A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRLR3636PBF fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, IRLR3636PBF prix de référence. IRLR3636PBF paramètres, IRLR3636PBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRLR3636PBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRLR3636PBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRLR3636PBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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