IRLR8256PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 81A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 5.7MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 63W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 8.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 81A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Avalanche Energy Rating (Eas) 86 mJ
Nominal Vgs 1.8 V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 63W
Turn On Delay Time 9.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 81A Tc
Rise Time 46ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Threshold Voltage 1.8V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 25V
Recovery Time 29 ns
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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