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IRLR8259PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 25V 57A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 48W Tc
Power Dissipation 48W
Turn On Delay Time 8.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A Tc
Rise Time 38ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 9.1 ns
Threshold Voltage 1.9V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Avalanche Energy Rating (Eas) 67 mJ
Nominal Vgs 1.9 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 8.7MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7m Ω @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 8.9 ns
Continuous Drain Current (ID) 57A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 42A
Dual Supply Voltage 25V
Recovery Time 26 ns
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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