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IRLR8726TRLPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 12 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Input Capacitance 2.15nF
Rds On Max 5.8 mΩ
Length 6.7056mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
Part Status Not For New Designs
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 75W Tc
Power Dissipation 75W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A Tc
Rise Time 49ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 86A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Drain to Source Resistance 5.8mOhm
Height 2.26mm
Width 6.22mm
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