IRLR8726TRPBF Spécifications techniques

IRLR8726TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 86A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 75W Tc
Power Dissipation 75W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A Tc
Rise Time 49ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.058Ohm
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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