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IRLS3034TRL7PP Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4m Ω @ 200A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10990pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 200 ns
Continuous Drain Current (ID) 240A
Drain-source On Resistance-Max 0.0014Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1540A
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 380W Tc
Power Dissipation 380W
Turn On Delay Time 71 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A Tc
Rise Time 590ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 94 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 250 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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