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IRLS4030TRL7PP Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9m Ω @ 110A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11490pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 110 ns
Threshold Voltage 2.5V
Drain-source On Resistance-Max 0.0039Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 320 mJ
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 370W Tc
Power Dissipation 370W
Turn On Delay Time 53 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A Tc
Rise Time 160ns
Vgs (Max) ±16V
Fall Time (Typ) 87 ns
Continuous Drain Current (ID) 190A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Nominal Vgs 1 V
REACH SVHC No SVHC
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