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IRLU2703PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 23A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 96A
Avalanche Energy Rating (Eas) 77 mJ
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 45mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position SINGLE
Current Rating 23A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 45W Tc
Power Dissipation 38W
Turn On Delay Time 8.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Tc
Rise Time 140ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Threshold Voltage 1V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Dual Supply Voltage 30V
Nominal Vgs 1 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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