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IRLU3915PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 30A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 120W
Turn On Delay Time 7.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Rise Time 51ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 83 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Dual Supply Voltage 55V
Nominal Vgs 3 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 14mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 120W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 100 ns
Continuous Drain Current (ID) 61A
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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