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PTF180101S V1 Spécifications techniques

FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case H32259-2
Transistor Element Material SILICON
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Voltage - Rated 65V
Current Rating (Amps) 1μA
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Operating Temperature (Max) 200°C
Configuration SINGLE
Case Connection SOURCE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type LDMOS
DS Breakdown Voltage-Min 65V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Series GOLDMOS®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Frequency 1.99GHz
JESD-30 Code S-XDSO-G2
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Current - Test 180mA
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 19dB
Power - Output 10W
Voltage - Test 28V
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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