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PTFA091201GL V1 Spécifications techniques

IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads
Published 2008
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Subcategory FET General Purpose Power
Frequency 960MHz
Operating Temperature (Max) 150°C
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 18.5dB
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test 28V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Packaging Tray
Part Status Obsolete
Voltage - Rated 65V
Current Rating (Amps) 10μA
Base Part Number PTFA091201
Configuration Single
Current - Test 750mA
Transistor Type LDMOS
Power - Output 110W
Power Dissipation-Max (Abs) 625W
RoHS Status RoHS Compliant
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PTFA091201GL V1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, PTFA091201GL V1 prix de référence. PTFA091201GL V1 paramètres, PTFA091201GL V1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le PTFA091201GL V1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver PTFA091201GL V1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, PTFA091201GL V1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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