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PTFA092211ELV4XWSA1 Spécifications techniques

FET RF LDMOS 220W H33288-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Screw
Number of Pins 3
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Max Operating Temperature 200°C
Voltage - Rated 65V
Max Power Dissipation 700W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Frequency 940MHz
Pin Count 2
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Case Connection SOURCE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type LDMOS
DS Breakdown Voltage-Min 65V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -40°C
Additional Feature HGH RELIABILITY
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code unknown
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XDFM-F2
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Current - Test 1.75A
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 18dB
Power - Output 220W
Voltage - Test 30V
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