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PTFA192001EV4XWSA1 Spécifications techniques

IC FET RF LDMOS 200W H-36260-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Screw
Number of Pins 3
Published 2009
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Min Operating Temperature -40°C
Max Power Dissipation 625W
Reach Compliance Code unknown
Frequency 1.99GHz
JESD-30 Code R-CDFM-F2
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Current - Test 1.8A
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 15.9dB
DS Breakdown Voltage-Min 65V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 200°C
Voltage - Rated 65V
Terminal Position DUAL
Current Rating 10μA
Base Part Number PTFA192001
Operating Supply Voltage 30V
Configuration SINGLE
Case Connection SOURCE
Halogen Free Halogen Free
Transistor Type LDMOS
Max Output Power 200W
Power - Output 50W
RoHS Status ROHS3 Compliant
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