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PTFA212001EV4R0XTMA1
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PTFA212001EV4R0XTMA1 Spécifications techniques
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Surface Mount | YES |
Packaging | Strip |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Voltage - Rated | 65V |
Terminal Position | DUAL |
Frequency | 2.11GHz~2.17GHz |
JESD-30 Code | R-CDFM-F2 |
Configuration | SINGLE |
Case Connection | SOURCE |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | LDMOS |
DS Breakdown Voltage-Min | 65V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2009 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Current Rating (Amps) | 10μA |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Current - Test | 1.6A |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Gain | 15.8dB |
Power - Output | 200W |
Voltage - Test | 30V |
PTFA212001EV4R0XTMA1 Documents
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Feuilles de données
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