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PTFA260851F V1 Spécifications techniques

IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Package / Case 2-Flatpack, Fin Leads
Packaging Tray
Part Status Obsolete
Voltage - Rated 65V
Current Rating (Amps) 10μA
Frequency 2.68GHz
Operating Temperature (Max) 150°C
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Gain 14dB
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test 28V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount YES
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Subcategory FET General Purpose Power
Reach Compliance Code compliant
Base Part Number PTFA260851
Configuration Single
Current - Test 900mA
Transistor Type LDMOS
Power - Output 85W
Power Dissipation-Max (Abs) 437.5W
RoHS Status RoHS Compliant
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PTFA260851F V1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, PTFA260851F V1 prix de référence. PTFA260851F V1 paramètres, PTFA260851F V1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le PTFA260851F V1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver PTFA260851F V1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, PTFA260851F V1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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