SGB15N60ATMA1 Spécifications techniques

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 139W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 139W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 15A, 21 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 315 ns
Gate Charge 76nC
Td (on/off) @ 25°C 32ns/234ns
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code unknown
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 31A
Turn On Time 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 62A
Switching Energy 570μJ
Lead Free Contains Lead
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