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SI4435DYTRPBF Spécifications techniques
SI4435DYTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 20mOhm |
Voltage - Rated DC | -30V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | -8A |
Row Spacing | 6.3 mm |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Tc |
Rise Time | 17ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 31 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -8A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -30V |
Dual Supply Voltage | -30V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.75mm |
Width | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1999 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2320pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 130 ns |
Threshold Voltage | -1V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 50A |
Recovery Time | 51 ns |
Nominal Vgs | -1 V |
Length | 4.9784mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
SI4435DYTRPBF Documents
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Feuilles de données
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