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SIGC14T60SNCX1SA4 Spécifications techniques

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code S-XUUC-N2
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 54 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 31ns/261ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Terminal Form NO LEAD
Number of Elements 1
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Test Condition 400V, 15A, 21 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 315 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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