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SIGC15T60EX1SA1 Spécifications techniques

IGBT 3 CHIP 600V 30A WAFER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Published 2010
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Series TrenchStop™
Part Status Active
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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