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SIGC18T60NCX1SA6 Spécifications techniques

IGBT 3 CHIP 600V WAFER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code S-XUUC-N2
Number of Elements 1
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 600V
Turn On Time 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
IGBT Type NPT
Td (on/off) @ 25°C 21ns/110ns
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Published 2016
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 2
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Test Condition 300V, 20A, 13 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 135 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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