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SIGC57T120R3LEX1SA3 Spécifications techniques

IGBT 1200V 50A DIE

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case Die
Published 2014
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -40°C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 1.2kV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Bulk
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Drain to Source Voltage (Vdss) 1.2kV
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
IGBT Type Trench Field Stop
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SIGC57T120R3LEX1SA3 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, SIGC57T120R3LEX1SA3 prix de référence. SIGC57T120R3LEX1SA3 paramètres, SIGC57T120R3LEX1SA3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIGC57T120R3LEX1SA3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIGC57T120R3LEX1SA3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIGC57T120R3LEX1SA3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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