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SPB21N50C3ATMA1
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SPB21N50C3ATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.19Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 500V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 208W Tc |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190m Ω @ 13.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 21A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 63A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 690 mJ |
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Feuilles de données
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