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SPB80N03S203GATMA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2003
Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power Dissipation-Max 300W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 80A
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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SPB800-BCP1 H&D Wireless AB Modules émetteurs-récepteurs RF
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SPB80N03S203GATMA1 fabricants de marques: Infineon Technologies, Bonchip action, SPB80N03S203GATMA1 prix de référence. SPB80N03S203GATMA1 paramètres, SPB80N03S203GATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SPB80N03S203GATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SPB80N03S203GATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SPB80N03S203GATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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