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SPB80P06PGATMA1
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SPB80P06PGATMA1 Spécifications techniques
SPB80P06PGATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 1999 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | -80A |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 340W Tc |
Power Dissipation | 340W |
Turn On Delay Time | 24 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 64A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 18ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 30 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -80A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -60V |
Height | 4.4mm |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | SIPMOS® |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5.5mA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5033pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 173nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 56 ns |
Threshold Voltage | -3V |
Max Dual Supply Voltage | -60V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
SPB80P06PGATMA1 Documents
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Feuilles de données
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