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SPD30N03S2L10GBTMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Rise Time 13ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 30A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 100W Tc
Power Dissipation 100W
Turn On Delay Time 6.1 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status RoHS Compliant
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