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SPI15N65C3XKSA1
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SPI15N65C3XKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Obsolete |
Max Operating Temperature | 150°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 32 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 9.4A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A Tc |
Rise Time | 14ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 15A |
Max Dual Supply Voltage | 650V |
Input Capacitance | 1.6nF |
Rds On Max | 280 mΩ |
Height | 9.45mm |
Width | 4.5mm |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
Packaging | Tube |
Series | CoolMOS™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Power Dissipation-Max | 156W Tc |
Power Dissipation | 156W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 70 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 650V |
Drain to Source Resistance | 280mOhm |
Nominal Vgs | 3 V |
Length | 10.2mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
SPI15N65C3XKSA1 Documents
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Feuilles de données
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