SPP15P10PHXKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 128W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1.54mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 33 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage -100V
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SIPMOS®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 128W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240m Ω @ 10.6A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Rise Time 23ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.24Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Lead Free Lead Free
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