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SPP15P10PLHXKSA1 Spécifications techniques

Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 128W Tc
Power Dissipation 128W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1.54mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 50 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage -100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SIPMOS®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7.6 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200m Ω @ 11.3A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Rise Time 21ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 29 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.2Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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