SPP20N60S5 Spécifications techniques

SPP20N60S5 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 650V
Current Rating 20A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 208W
Turn On Delay Time 120 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
Avalanche Energy Rating (Eas) 690 mJ
Height 4.4mm
Width 10.26mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 208W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 13A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Rise Time 25ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 140 ns
Threshold Voltage 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Dual Supply Voltage 600V
Nominal Vgs 4.5 V
Length 8.64mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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