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SPW35N60CFDFKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 313W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.9mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34.1A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 34.1A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 85A
Avalanche Energy Rating (Eas) 1300 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 118m Ω @ 21.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5060pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 212nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-247AA
Drain-source On Resistance-Max 0.118Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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