FF150R12ME3G Spécifications techniques

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 200A 11-pin ECONOD-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Published 2012
Number of Terminations 11
Max Operating Temperature 125°C
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X11
Number of Elements 2
Power Dissipation 695W
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Turn Off Time-Nom (toff) 810 ns
VCEsat-Max 2.15 V
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Number of Pins 3
Pbfree Code no
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -40°C
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 11
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 200A
Turn On Time 400 ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status RoHS Compliant
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