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FF650R17IE4D_B2 Spécifications techniques

INFINEON FF650R17IE4D_B2 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Screw
Number of Pins 10
Number of Terminations 10
Max Operating Temperature 150°C
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 930A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Turn Off Time-Nom (toff) 1870 ns
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Pbfree Code no
Terminal Finish NOT SPECIFIED
Min Operating Temperature -40°C
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 4.15kW
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.7kV
Turn On Time 765 ns
REACH SVHC Unknown
Lead Free Contains Lead
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FF650R17IE4D_B2 fabricants de marques: Infineon, Bonchip action, FF650R17IE4D_B2 prix de référence. FF650R17IE4D_B2 paramètres, FF650R17IE4D_B2 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FF650R17IE4D_B2 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FF650R17IE4D_B2 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FF650R17IE4D_B2 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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