IPA90R800C3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Surface Mount NO
Published 2008
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 33W
Turn On Delay Time 70 ns
Transistor Application SWITCHING
Rise Time 20ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 400 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 900V
Avalanche Energy Rating (Eas) 157 mJ
Drain to Source Resistance 800mOhm
Capacitance - Input 1.1nF
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Pbfree Code yes
Number of Terminations 3
Min Operating Temperature -55°C
Terminal Form THROUGH-HOLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 33W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
Voltage - Threshold 3V
Halogen Free Halogen Free
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Fall Time (Typ) 32 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 15A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On Max 800 mΩ
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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