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IPA90R800C3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Surface Mount | NO |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 33W |
Turn On Delay Time | 70 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Rise Time | 20ns |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Turn-Off Delay Time | 400 ns |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 900V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 157 mJ |
Drain to Source Resistance | 800mOhm |
Capacitance - Input | 1.1nF |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-220-3 |
Number of Pins | 3 |
Pbfree Code | yes |
Number of Terminations | 3 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 33W |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
Voltage - Threshold | 3V |
Halogen Free | Halogen Free |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Fall Time (Typ) | 32 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 15A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Rds On Max | 800 mΩ |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IPA90R800C3 Documents
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Feuilles de données
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