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SPA08N50C3 Spécifications techniques

INFINEON - SPA08N50C3XKSA1 - MOSFET, N, 500V, TO-220F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Surface Mount NO
Packaging Bulk
Pbfree Code yes
Number of Terminations 3
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form THROUGH-HOLE
Current Rating 7.6A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 32W
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Rise Time 5ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 60 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 560V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rds On Max 600 mΩ
Height 9.83mm
Width 4.85mm
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Published 2005
Part Status Discontinued
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 560V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 32W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
Voltage - Threshold 3V
Halogen Free Halogen Free
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 22.8A
Drain to Source Resistance 600mOhm
Capacitance - Input 750pF
Length 10.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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