SPB17N80C3 Spécifications techniques

INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - MOSFET, N, TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-263
Packaging Cut Tape
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 800V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 17A
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 227W
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Continuous Drain Current (ID) 17A
Max Dual Supply Voltage 800V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 3
Published 2003
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 25 ns
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Turn-Off Delay Time 72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 670 mJ
Drain to Source Resistance 250mOhm
Lead Free Contains Lead
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