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INN700DA600B Spécifications techniques
700V GaN-on-Silicon Enhancement-mode Power Transistor in Dual Flat No-lead package (DFN) with 5 mm × 6 mm size
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / HEMT GaN HV |
Manufacturer | Innoscience |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Configuration | Single |
VDS max (V) | 700 |
RDS(on) max (mΩ) | 600 |
Qoss (nC) | 7.3 |
IDPuls max (A) | 6 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package | DFN5X6 |
RDS(on)_typ (mΩ) | 470 |
QG (nC) | 0.7 |
ID max (A) | 3.3 |
INN700DA600B Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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