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INS1001DE Spécifications techniques

The INS1001 is designed to drive single-channel GaN FET(s) in either low-side, high-side, or secondary-side SR applications.

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / HEMT GaN HV
Manufacturer Innoscience
Factory Lead Time 3 Weeks
Configuration Single Driver
Features Wide 6V to 20V Operating Voltage Range
Strong 1.3-Ω Pullup and 0.5-Ω Pulldown Resistance Fast Propagation Delay with Input Deglitching
Built-In UVLO, OVP, OTP Protection
AC-DC, DC-DC Converters Boost, Flyback, and Forward Converters
Solar Inverters, Motor Control, UPS
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package DFN 3X3
Dual Inverting and Non-Inverting PWM Inputs Independent Pullup and Pulldown Outputs forAdjustable Turn-on and Turn-off Speeds
User Programmable Gate Driver Supply Voltage Integrated 5V LDO for supplying Digital Isolator
Applications Switch-Mode Power Supplies
Half-Bridge and Full-Bridge Converters Synchronous Rectification
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INS1001DE fabricants de marques: Innoscience, Bonchip action, INS1001DE prix de référence. INS1001DE paramètres, INS1001DE Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le INS1001DE Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver INS1001DE schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, INS1001DE tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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