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BSC100N06LS3GATMA1
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BSC100N06LS3GATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 30V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BSC100N03L G | Original | Circuits intégrés spécialisés | 3882 |
BSC100N03LS | INF | Circuits intégrés spécialisés | 3987 |
BSC100N03LS G | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 3781 |
BSC100N03LSG | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 109660 |
BSC100N03LSGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2763 |
BSC100N03M | INFINEON | Circuits intégrés spécialisés | 2517 |
BSC100N03MS | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 669 |
BSC100N03MS G | Infineo | Circuits intégrés spécialisés | 1304 |
BSC100N03MSG | infineon/ | Circuits intégrés spécialisés | 212 |
BSC100N03MSG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 51932 |
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