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BSO615NGHUMA1 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Series SIPMOS®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PG-DSO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSO615N G BSO615N G-ND BSO615NG BSO615NGHUMA1TR BSO615NGINTR-ND BSO615NGT BSO615NGXT BSO615NT BSO615NXTINTR BSO615NXTINTR-ND SP000216316
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Base Part Number BSO615
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