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BSP123E6327T
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BSP123E6327T Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 370mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 1.79W (Ta) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA (Ta) |
BSP123E6327T Documents
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