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BSP297H6327XTSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.1nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 357pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 660mA (Ta)
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