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BSP300L6327HUSA1
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BSP300L6327HUSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 190mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
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---|---|---|---|
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