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BSP88H6327XTSA1
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BSP88H6327XTSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 4SOT223
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 108µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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BSP88E6327 | Rochester Electronics, LLC | Transistors MOSFET simples | |
BSP88H6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 1237 |
BSP88H6327 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 863 |
BSP88H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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