BSS83PH6327XTSA1 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 330mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSS83P H6327 BSS83P H6327-ND BSS83P H6327TR-ND BSS83PH6327 BSS83PH6327XTSA1TR SP000702486
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.57nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 330mA (Ta)
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