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BSZ086P03NS3 G
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BSZ086P03NS3 G Spécifications techniques
BSZ086P03NS3 G Infineon Technologies
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 105µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4785pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 40A (Tc) |
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