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DD1200S45KL3B5NOSA1
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DD1200S45KL3B5NOSA1 Spécifications techniques
DIODE MODULE 1200V 1200A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.1V @ 1200A |
Supplier Device Package | Module |
Package / Case | Module |
Operating Temperature - Junction | -50°C ~ 125°C |
Diode Type | Standard |
Detailed Description | Diode Array 2 Independent Standard 4500V Chassis Mount Module |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | - |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 4500V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Other Names | DD1200S45KL3_B5 DD1200S45KL3_B5-ND SP000997618 |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 2 Independent |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1500A @ 2800V |
DD1200S45KL3B5NOSA1 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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DD1200S12H4 | IGBT Module | Modules IGBT | 2689 |
DD1200S12H4 | Infineon Technologies | Réseau de diodes redresseuses | |
DD1200S12H4HOSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - IGBT - Modules | 2599 |
DD1200S12H4HOSA1 | Infineon Technologies | Modules IGBT | |
DD1200S16K1 | EUPEC | Modules IGBT | 2605 |
DD1200S17H4B2BOSA2 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 0 |
DD1200S17H4B2BOSA2 | Infineon Technologies | Réseau de diodes redresseuses | |
DD1200S17H4_B2 | IGBT Module | Modules IGBT | 1310 |
DD1200S17K2 | IGBT Module | Modules IGBT | 2925 |
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