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FD-DF80R12W1H3_B52
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FD-DF80R12W1H3_B52 Spécifications techniques
IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | Module |
Package / Case | Module |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 235nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Configuration | Single |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
Power - Max | 215W |
Other Names | SP001092012 |
NTC Thermistor | Yes |
Manufacturer Standard Lead Time | 24 Weeks |
Input | Standard |
Detailed Description | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 40A 215W Chassis Mount Module |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
FD-DF80R12W1H3_B52 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FD-DF80R12W1H3_B52 | IGBT Module | Modules IGBT | 2640 |
FD-DF80R12W1H3_B52 | Infineon Technologies | Modules IGBT |
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