IPAN80R450P7XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 220µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 29W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 500V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 11A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220-3-31 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tube
Other Names SP001632932
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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