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IPB009N03L G
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IPB009N03L G Spécifications techniques
IPB009N03L G Infineon Technologies
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 227nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95 mOhm @ 100A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25000pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPB009N03LG | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 23316 |
IPB009N03LGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2638 |
IPB009N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples |
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