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IPB020NE7N3GATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 37.5V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB020NE7N3 G IPB020NE7N3 G-ND IPB020NE7N3 GTR-ND IPB020NE7N3G IPB020NE7N3GATMA1TR SP000676950
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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